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2007年3月21日，在上海新國際展覽中心舉行的第六屆慕尼黑電子展上，賽米控再次給我們帶來了驚喜，推出了全新的SEMiSTART模塊，將使軟啟動設(shè)備的體積縮小六倍。
去年11月在德國紐倫堡一款來自賽米控的新型反并聯(lián)可控硅模塊（W1C 開關(guān)）SEMiSTART問世。這款專為軟啟動設(shè)備設(shè)計的反并聯(lián)非絕緣型可控硅模塊，其主要優(yōu)點在于緊湊的結(jié)構(gòu)。該模塊被設(shè)計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級，尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3000A的過載電流長達20秒（在啟動階段），最大阻斷電壓為1400V 和1800V。
由于采用了壓接和雙面芯片冷卻技術(shù)，新模塊能夠承受電流高達3000A、時間長達20秒的過載能力。與采用傳統(tǒng)的平板可控硅的設(shè)計不同，全新的SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優(yōu)化過的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)高度緊湊且穩(wěn)健可靠的系統(tǒng)。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。一個采用全新的SEMiSTART模塊的400KW軟啟動器的尺寸只相當于采用傳統(tǒng)的平板可控硅裝置的六分之一。來自塞米控的產(chǎn)品工程師說：“使用SEMiSTART模塊，軟啟動器的結(jié)構(gòu)可以更為緊湊，從而帶來更高的性價比。”
由于可控硅芯片被直接壓置在散熱器之間，所以這些模塊擁有更少的熱電阻Rth(j-s) 。總體上，新模塊的接觸層很少，這意味著與傳統(tǒng)方案相比新模塊的熱阻更小，舉例來說，這種新模塊的總熱阻只相當于傳統(tǒng)方案中平板可控硅和散熱器之間的熱接觸熱阻的一半多，這主要是由于新模塊中去掉了阻礙熱量從芯片向散熱器傳輸?shù)碾姎饨^緣物質(zhì)。
SEMiSTART 模塊安裝便利，不需要諸如安裝平板可控硅所需的安裝夾具以及在半導(dǎo)體模塊中所需的導(dǎo)熱硅脂。
該系列新產(chǎn)品符合歐盟RoHS和WEEE指令的規(guī)定。
賽米控作一直為功率模塊市場的領(lǐng)導(dǎo)者，是用戶們心中的一個響亮的品牌、完美的標準。通過此次研討會的開展，讓用戶更了解塞米控的發(fā)展?jié)摿Γ鋵嵙ψC明用戶的選擇是正確的！
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