如何逃離破產(chǎn)黑洞
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)言,2009年第一季度全球內(nèi)存芯片市場規(guī)模將明顯下滑,只能達(dá)到59億美元的水平,較2008年第四季度下滑7.4%。iSuppli還預(yù)測,2009年第一季度內(nèi)存芯片還將出現(xiàn)全行業(yè)虧損,將沒有一家廠商是盈利的。
當(dāng)然,盡管內(nèi)存芯片行業(yè)哀鴻遍野,但也并非沒有一抹亮色。領(lǐng)先的內(nèi)存芯片廠家還可以發(fā)揮自己的規(guī)模成本優(yōu)勢,趁機(jī)擴(kuò)大市場份額。
有關(guān)統(tǒng)計(jì)資料顯示,2008年底,三星半導(dǎo)體的市場占有率高達(dá)24.5%,位列內(nèi)存芯片廠商的第一位,美光的市場占有率超過爾必達(dá)排第二。2008年第4季度,美光的市場占有率高達(dá)16.9%,與上一季度相比有了大幅的躍進(jìn)。
此外,有學(xué)者認(rèn)為,內(nèi)存芯片的價(jià)格下滑有助于內(nèi)存芯片廠家加大對產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)投入,不斷推出升級產(chǎn)品。分析人士認(rèn)為,新技術(shù)的應(yīng)用可以讓內(nèi)存芯片廠家擺脫當(dāng)前市場上產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重、供求失衡的狀況,而且更先進(jìn)的產(chǎn)品也會(huì)帶來更高的營業(yè)收入和毛利,從而成為扭虧為盈的有效手段。內(nèi)存芯片市場的產(chǎn)品格局也會(huì)在不久的將來發(fā)生重大的變化。
一位半導(dǎo)體行業(yè)的專家表示,對于半導(dǎo)體行業(yè)來說,技術(shù)和生產(chǎn)上的投資在市場困難時(shí)期會(huì)十分奏效。以前,各大內(nèi)存芯片廠商在產(chǎn)品技術(shù)投入的方向上都過于雷同,高端產(chǎn)品更是少之又少。同行的重復(fù)開發(fā)只能讓整個(gè)內(nèi)存芯片廠商之間的競爭白熱化。
海力士在國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上發(fā)布了首枚容量為1Gbit的DDR3RAM芯片,該芯片采用44納米制程設(shè)計(jì),新的制程性能要比使用以前54納米制程的產(chǎn)品高出一半水平,而且功耗還有一定程度的下降。該產(chǎn)品會(huì)在今年夏季量產(chǎn),它將進(jìn)一步降低DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)成本,為大規(guī)模普及做了較好的鋪墊。爾必達(dá)也于近日發(fā)布了業(yè)界容量最高的內(nèi)存模組,用于服務(wù)器領(lǐng)域,單條存儲(chǔ)量達(dá)到16Gbit,該模組集成了64顆2GbitDDR2SDRAM芯片,并使用了爾必達(dá)獨(dú)有的封裝技術(shù),整體厚度僅為7.7毫米。三星半導(dǎo)體日前宣布已經(jīng)成功研發(fā)并制造出了全球首塊40納米DRAM芯片及模塊。
當(dāng)然,即便是要投入新的升級產(chǎn)品,內(nèi)存芯片廠家也希望能充分利用原有的生產(chǎn)線以節(jié)約成本。據(jù)了解,爾必達(dá)就凍結(jié)了一項(xiàng)采用新生產(chǎn)工藝的計(jì)劃,取而代之的是,今年量產(chǎn)尺寸更小的1Gbit內(nèi)存芯片產(chǎn)品。爾必達(dá)表示,他們會(huì)使用現(xiàn)有的設(shè)備來生產(chǎn)這種尺寸更小的芯片,而且該款芯片的價(jià)格比原有的產(chǎn)品低20%。