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    中芯國(guó)際推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平臺(tái)
    • 點(diǎn)擊數(shù):586     發(fā)布時(shí)間:2013-01-13 17:58:25
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    為客戶提供更小的芯片尺寸,更好的性能和更大的設(shè)計(jì)靈活性。上海2012年9月19日電/美通社/--中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(&amp;quot;中芯國(guó)際&amp;quot;,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所代
    關(guān)鍵詞:

            為客戶提供更小的芯片尺寸,更好的性能和更大的設(shè)計(jì)靈活性。

           上海2012年9月19日電 /美通社/ -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司("中芯國(guó)際",紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國(guó)最大的和最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠,今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺(tái),與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。該平臺(tái)經(jīng)過(guò)流片以及IP驗(yàn)證,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時(shí),能提高數(shù)據(jù)的安全性。這個(gè)新平臺(tái)為中芯國(guó)際的成熟工藝節(jié)點(diǎn)提供了最新的增值服務(wù),主打中國(guó)快速發(fā)展的雙界面金融IC卡市場(chǎng)及全球非接觸式智能卡市場(chǎng)。

             建立在中芯國(guó)際的0.13微米低功耗技術(shù)上,該1.2V低功耗平臺(tái)使用字節(jié)模式操作的真正的EEPROM技術(shù)。與0.18微米EEPROM技術(shù)相比,該0.13微米平臺(tái)減少了約50%的芯片面積,同時(shí)降低了約50%的功耗。還可選用高速緩存控制器,在低功耗的同時(shí)加快讀取速度,為客戶提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。該平臺(tái)是卡類應(yīng)用最理想的平臺(tái),如雙界面銀行卡、社會(huì)保障卡、醫(yī)療保險(xiǎn)卡、交通卡、電子護(hù)照和電子支付卡。該平臺(tái)集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存儲(chǔ)器編譯器和光檢測(cè)器(light detector)IP。除了上述中芯國(guó)際自己研發(fā)的IP,存儲(chǔ)器編譯器方面亦提供第三方IP的選擇。中芯國(guó)際的0.13微米過(guò)程中使用銅低k互連和硅化鈷晶體管的互連。以中芯國(guó)際0.13微米LL技術(shù)構(gòu)建的設(shè)備將支持溫度范圍從-40攝氏度到85攝氏度完整的讀取和編程操作,并且在55攝氏度的溫度下,10萬(wàn)讀取和寫入周期后,還能保證至少30年的數(shù)據(jù)保存(等同于在室溫下超過(guò)300年的數(shù)據(jù)保存)。該平臺(tái)目前正在通過(guò)一百萬(wàn)次讀取和寫入周期的品質(zhì)驗(yàn)證。

            中芯國(guó)際商務(wù)長(zhǎng)季克非表示,"年底將有銀行IC卡產(chǎn)品在這一新平臺(tái)投片,我們?yōu)榭蛻舻姆e極反響感到鼓舞。根據(jù)我們多年0.18微米EEPROM的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶的反饋,我們預(yù)期該技術(shù)將快速上量并帶來(lái)強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。"

     

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