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    三菱電機Smart-1系列IGBT模塊
    
				
    
					
				
    
				
                
				
				
    
                    
        三菱電機的最新開發的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術和自動壓接裝配技術。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。
    

    
    Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業變頻電機驅動和伺服驅動，已開發出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
    

    
    詳情點擊：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com 
    

    
    摘自《自動化博覽》2011年第七期
    


    

    
				
    
			
    
			
    
                                    
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