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    慧榮科技于2016全球閃存峰會中展出最新SM2260 交鑰匙式PCIe SSD 控制芯片解決方案
    • 點擊數:1882     發布時間:2016-08-15 13:55:00
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    2016年8月12日,美國加州圣克拉拉——一年一度的內存峰會(Flash Memory Summit)于當地時間8月9日至11日,在美國加州圣克拉拉舉行。全球閃存領軍企業齊聚一堂,紛紛推出巿場最新閃存技術及產品。在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO)在本次峰會中展出首款PCIe SSD 控制芯片解決方案SM2260,作為PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片,SM2260為8通道設計,最高可支持2TB 容量?!?/p>

    新聞稿:慧榮科技于2016全球閃存峰會中展出最新SM2260 交鑰匙式PCIe SSD 控制芯片解決方案342.png

    圖一:慧榮科技展出SM2260解決方案

    在本次展會中,我們還可以看到此款SM2260搭配 3D NAND的效能表現:讀取速度可達2370MB,輸寫速度為1039MB,讀寫表現可圈可點。另外,SM2260控制器采用了RAID保護功能的專有NANDXtend?技術,有效提升解錯能力,并確保數據的完整性。該款產品經過多項兼容性及穩定測試后才得以上巿,可謂眾望所歸。根據慧榮科技工作人員表示,SM2260已經被知名SSD 廠商所采用,很快就會在巿場上看見。

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    圖二:SM2260控制芯片各方面性能表現

    除了SM2260 PCIe SSD 主控芯片外,慧榮科技還介紹了新推出的搭載 3D TLC NAND的SM2258控制器,性能表現同樣出色,完勝巿場上大多數SATA SSD。

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    圖三:SM2258控制芯片各方面性能表現

    另外,在本次閃存峰會上,寶存科技也展出企業級SSD解決方案?!?/p>

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    圖四:寶存科技展臺

    寶存科技攜Shannon Direct-IO? PCIe Flash及U.2(8639) PCIe Flash產品再度亮相閃存峰會。該系列產品不僅性能上不斷完善,而且閃存顆粒工藝也由19/20nm更換為15nm,從成本上滿足了企業對高性價比的追求。

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    圖五:寶存科技推出的Shannon Direct-IO? PCIe Flash系列

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    圖六:寶存科技推出的Shannon Direct-IO? U.2(8639) PCIe Flash系列

    寶存科技預計將于今年下半年發布遵循NVMe標準的PCIe Flash產品,在本次展會現場可以找到該款產品的相關資料。寶存科技的NVMe是遵循PCIe標準的高速存儲設備。相比Direct-IO? PCIe Flash基于標準PCIe的高度可定制化架構,寶存科技的NMVe會擁有更好的通用性,并且在中小容量段更有應用的優勢。通過Direct-IO?和NMVe兩條PCIe產品線的構建,滿足不同用戶對不同場景的性能需求。

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    圖七:寶存科技NVMe產品性能數據

    在今年全球閃存峰會中,除了一睹慧栄科技在閃存技術的優勢外,也可以了解慧栄過去十年的成果。慧榮科技致今已經銷售超過50倍顆閃存相關主控芯片,成為全球銷售第一的王者品牌。

    新聞稿:慧榮科技于2016全球閃存峰會中展出最新SM2260 交鑰匙式PCIe SSD 控制芯片解決方案1290.png

    圖八:慧榮科技過去十年發展歷程


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