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資訊頻道如何逃離破產(chǎn)黑洞
市場調(diào)研機構iSuppli預言，2009年第一季度全球內(nèi)存芯片市場規(guī)模將明顯下滑，只能達到59億美元的水平，較2008年第四季度下滑7.4%。iSuppli還預測，2009年第一季度內(nèi)存芯片還將出現(xiàn)全行業(yè)虧損，將沒有一家廠商是盈利的。
當然，盡管內(nèi)存芯片行業(yè)哀鴻遍野，但也并非沒有一抹亮色。領先的內(nèi)存芯片廠家還可以發(fā)揮自己的規(guī)模成本優(yōu)勢，趁機擴大市場份額。
有關統(tǒng)計資料顯示，2008年底，三星半導體的市場占有率高達24.5%，位列內(nèi)存芯片廠商的第一位，美光的市場占有率超過爾必達排第二。2008年第4季度，美光的市場占有率高達16.9%，與上一季度相比有了大幅的躍進。
此外，有學者認為，內(nèi)存芯片的價格下滑有助于內(nèi)存芯片廠家加大對產(chǎn)品技術的研發(fā)投入，不斷推出升級產(chǎn)品。分析人士認為，新技術的應用可以讓內(nèi)存芯片廠家擺脫當前市場上產(chǎn)品同質(zhì)化嚴重、供求失衡的狀況，而且更先進的產(chǎn)品也會帶來更高的營業(yè)收入和毛利，從而成為扭虧為盈的有效手段。內(nèi)存芯片市場的產(chǎn)品格局也會在不久的將來發(fā)生重大的變化。
一位半導體行業(yè)的專家表示，對于半導體行業(yè)來說，技術和生產(chǎn)上的投資在市場困難時期會十分奏效。以前，各大內(nèi)存芯片廠商在產(chǎn)品技術投入的方向上都過于雷同，高端產(chǎn)品更是少之又少。同行的重復開發(fā)只能讓整個內(nèi)存芯片廠商之間的競爭白熱化。
海力士在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上發(fā)布了首枚容量為1Gbit的DDR3RAM芯片，該芯片采用44納米制程設計，新的制程性能要比使用以前54納米制程的產(chǎn)品高出一半水平，而且功耗還有一定程度的下降。該產(chǎn)品會在今年夏季量產(chǎn)，它將進一步降低DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)成本，為大規(guī)模普及做了較好的鋪墊。爾必達也于近日發(fā)布了業(yè)界容量最高的內(nèi)存模組，用于服務器領域，單條存儲量達到16Gbit，該模組集成了64顆2GbitDDR2SDRAM芯片，并使用了爾必達獨有的封裝技術，整體厚度僅為7.7毫米。三星半導體日前宣布已經(jīng)成功研發(fā)并制造出了全球首塊40納米DRAM芯片及模塊。
當然，即便是要投入新的升級產(chǎn)品，內(nèi)存芯片廠家也希望能充分利用原有的生產(chǎn)線以節(jié)約成本。據(jù)了解，爾必達就凍結了一項采用新生產(chǎn)工藝的計劃，取而代之的是，今年量產(chǎn)尺寸更小的1Gbit內(nèi)存芯片產(chǎn)品。爾必達表示，他們會使用現(xiàn)有的設備來生產(chǎn)這種尺寸更小的芯片，而且該款芯片的價格比原有的產(chǎn)品低20%。
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